▲ ‘9세대 V낸드’ 제품 사진 <자료=삼성전자>

삼성전자는 업계 최초로 ‘더블 스택’ 구조를 통해 구현 가능한 최고 단수 제품인 ‘1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드’를 양산한다고 23일 밝혔다.

9세대 V낸드는 290단 수준으로 현재 주력인 236단 8세대 V낸드의 뒤를 잇는 제품이다.

삼성전자는 "채널 홀 에칭 기술을 통해 한 번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신으로 생산성을 끌어올렸다"고 설명했다.

채널 홀 에칭은 몰드층을 순차적으로 쌓은 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 적층 단수가 높아져 한 번에 많이 뚫을 수록 생산 효율이 증가하기 때문에 정교화·고도화가 요구된다.

최근 반도체 업계는 낸드의 적층 경쟁이 치열해지면서 적층 공정 기술력의 중요성도 커지고 있다. V낸드의 원가 경쟁력은 최소한의 공정으로 단수를 쌓아 올리는 것이 핵심이다. 스택 수가 적을수록 거쳐야 하는 공정 수도 줄기 때문에 시간과 비용을 줄일 수 있어 경쟁력이 높다.

삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell), 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 ‘1Tb TLC 9세대 V낸드’의 비트 밀도(단위 면적당 저장되는 비트의 수)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다.

또한 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole) 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였다. 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다.

9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 ‘토글(Toggle) 5.1’이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps(초당 기가비트)의 데이터 입출력 속도를 구현했다. 이와 함께 저전력 설계 기술을 탑재, 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐다.

삼성전자는 올해 하반기 QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'를 양산하는 등 AI 시대에 요구되는 고용량·고성능 낸드 개발에 박차를 가할 계획이다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시(Flash)개발실장(부사장)은 “낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈(요구)가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다”며 “9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것”이라고 말했다.

토요경제 / 최영준 기자 cyj@sateconomy.co.kr 

[ⓒ 토요경제. 무단전재-재배포 금지]