▲ 이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장) <사진=삼성전자>

 

삼성전자가 11나노급 D램과 9세대 더블스택 V낸드 개발로 기술 초격차를 이끌어 나가겠다고 밝혔다.

이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 17일 삼성전자 반도체뉴스룸에 올린 기고문을 통해 “D램과 낸드플래시의 집적도를 극한의 수준으로 높여나가겠다”고 말했다.

이 사장은 “11나노급 D램으로 업계 최대 수준의 집적도를 달성하겠다”며 “삼성전자가 개발 중인 9세대 V낸드는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 목표로 개발 중이다”고 밝혔다. 삼성전자는 해당 제품을 내년 초 양산하기 위해 동작 칩을 성공적으로 확보했다.

그는 앞으로 다가올 10나노 이하 D램과 1000단 V낸드 시대에는 새로운 구조와 소재의 혁신이 매우 중요하다고도 강조했다.

이 사장은 “(삼성전자는) 10나노 이하 D램개발을 위해 3D 적층 구조와 신물질을 연구·개발하고 있다”며 “V낸드 분야에서는 단수를 지속적으로 늘리고 높이는 줄이며, 셀 간 간섭을 최소화하겠다”고 말했다.

고성능·고용량·저전력 기술 개발 현황에 대해서도 언급했다.

이 사장은 “최근 삼성전자는 업계 최고 용량인 32㎇(기가바이트) DDR5 D램 개발에 성공했다”며 “향후 고용량 D램 라인업을 지속적으로 확대해 1TB 용량의 모듈까지 구현 가능한 솔루션을 확보하겠다”고 강조했다. 

 

이어 그는 “여기에 한 걸음 더 나아가, CMM(CLX Memory Module) 등의 새로운 인터페이스를 적극 활용해 메모리 대역폭과 용량을 원하는 만큼 확장하는 미래를 꿈꾸고 있다”며 “미래 준비를 위해 고부가 제품과 선간 공정 생산 비중을 확대하고 R&D 투자를 강화하겠다”고 덧붙였다.

부가 제품과 선단 공정의 생산 비중을 높이고, 초거대 AI 등 신규 응용처에 대한 메모리 수요에 적기에 대응해 사업의 가치를 높이는데 집중하겠다고도 말했다.

이 사장은 “삼성전자 메모리 사업을 시작한 기흥캠퍼스에 첨단 반도체 R&D 라인을 구축하는 등 미래를 위한 투자를 이어가겠다”며 “삼성전자는 초일류 기술을 기반으로 지속적인 도전과 혁신을 통해 고객들과 함께 성장하며 더 나은 미래를 열어 가겠다”고 말했다.

한편 삼성전자는 오는 20일, 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023’ 개최를 앞두고 있다.

 

토요경제 / 최영준 기자 cyj@sateconomy.co.kr 

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