▲ 네덜란드를 국빈 방문 중인 윤석열 대통령은 현지 시각 12일 글로벌 반도체 장비 기업 ASML 본사에서 열린 기업인 간담회에 참석했다. <사진=대통령실>

삼성과 ASML이 12일(현지시간) 1조원을 공동 투자해 차세대 EUV 기반 초미세 공정 개발을 위한 ‘차세대 반도체 제조 기술 R&D 센터’를 국내에 구축하는 내용 등이 포함된 업무협약을 체결했다.

초미세 공정 반도체 제조에 꼭 필요한 EUV 노광장비를 독점 공급해 ‘슈퍼을’로 알려진 ASML이 반도체 제조 기업과 공동으로 해외에 R&D 센터를 세우는 건 이번이 처음이다.

업계에서는 ASML도 글로벌 메모리 반도체 1위 국가인 한국에 투자하는 것이 차세대 노광 기술 확보에 유리하다는 전략적 판단에서 삼성전자와 공동 연구소 설립을 합의했을 것으로 보고 있다.

앞서 삼성전자는 차세대 반도체 구현은 EUV 기술 확보가 좌우한다고 생각해 2000년대부터 ASML과 반도체 초미세공정 기술·장비 개발 협력을 이어왔으며 2012년에는 ASML 지분에 투자하기도 했다. 이를 통해 2020년 업계 최초로 D램 생산에 EUV를 적용하는 등 성과를 창출한 바 있다.

삼성전자와 더불어 ASML의 주요 고객 중 하나인 SK하이닉스도 EUV 공정에서 전력 사용량과 탄소 배출을 줄이는 기술을 ASML과 공동 개발하는 협약을 체결하며 파트너십을 강화했다.

SK하이닉스는 현재 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) D램 제조공정에 ASML의 EUV 장비를 적용 중이며, 향후 확대 적용을 위해 2021년 4조7500억원 규모의 EUV 장기 공급계약을 체결했다.

SK하이닉스는 이번 협약에서 EUV를 운용할 때 내부 오염원 제거 등에 쓰이는 수소 가스를 포집한 뒤 연료전지로 재활용해 전력화하는 기술을 ASML과 공동 개발하기로 했다.

토요경제 / 최영준 기자 cyj@sateconomy.co.kr 

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