차세대 D램 R&D·후공정에 349억위안 투자
SCMP “중국산 장비 사용에 공격적 목표”
CXMT D램 점유율 9.5%…HBM보다 범용시장 경쟁 주목

▲ 중국 반도체업체 CXMT 로고[연합뉴스]

 

중국 최대 D램 업체 창신메모리(CXMT)가 차세대 기술개발과 후공정에 349억위안, 약 7조원을 투입한다. 삼성전자·SK하이닉스가 HBM에 생산능력을 집중하는 사이 중국은 범용 D램과 자체 장비 생태계를 동시에 키우고 있다.

홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)는 29일 오후 5시30분 CXMT가 349억위안 규모의 신규 투자를 추진한다고 보도했다. 이 가운데 241억위안은 D램 선행기술 연구개발, 108억위안은 웨이퍼 테스트기지 2단계 구축에 사용된다.

장비 투자 비중이 특히 높다. 중국 매일경제신문에 따르면 241억위안 규모 연구개발 사업 가운데 장비 구입비는 223억9800만위안으로 92.94%를 차지한다. 후공정 사업에는 D램 테스트와 모듈 조립을 담당할 공장이 들어서며 건설기간은 37개월이다.

CXMT가 28일 이사회에서 확정한 공시도 장비 투자를 늘린 이유를 명시했다. 회사는 시장 수요 변화에 맞춰 제품구조를 조정하고 “선행적인 장비 선정과 배치를 진행해 기술개선 장비투자를 늘렸다(进行了前瞻性设备选型部署，技改设备投资相应增加)”고 밝혔다. 다만 전체 투자금액이나 사업 목적 자체를 변경한 것은 아니다.

SCMP가 주목한 대목은 장비의 국산화다. 매체는 CXMT가 중국산 반도체 제조장비 사용에 “공격적인 목표(aggressive target)”를 세웠다고 소식통을 인용해 전했다. 이는 회사 공시에 직접 명시된 내용이 아니라 SCMP 취재를 통해 확인된 부분이다.

삼성전자와 SK하이닉스가 당장 경계해야 할 시장은 HBM보다 범용 D램이다.

대만 시장조사업체 트렌드포스(TrendForce)에 따르면 CXMT의 세계 D램 매출 점유율은 올해 1분기 7.6%에서 2분기 9.5%로 상승했다. 삼성전자 39.4%, SK하이닉스 24.9%, 미국 마이크론 23.3%에 이어 4위다.

트렌드포스는 CXMT의 월간 D램 생산능력이 현재 약 32만장 수준에서 2027년 42만장으로 늘어날 것으로 전망했다. 다만 추가 생산물량은 상당 부분 중국 내수에서 소비될 것으로 보여 단기간에 글로벌 고성능 D램 수급을 뒤흔들 수준은 아니라고 분석했다.

오히려 국내 업체에는 범용 D램의 경쟁구도가 중요하다. 삼성전자와 SK하이닉스가 AI용 HBM 생산을 늘리면서 스마트폰·PC 등에 사용하는 D램 공급이 빠듯해진 틈을 CXMT가 파고들고 있기 때문이다. 중국의 범용 D램 수입 의존도가 낮아지면 삼성전자와 SK하이닉스가 중국 시장에서 누리던 판매 기반도 중장기적으로 좁아질 수 있다.

다만 기술 격차를 곧바로 좁혔다고 보기는 어렵다. CXMT는 범용 D램 점유율을 빠르게 높이고 있지만 HBM과 최첨단 메모리에서는 삼성전자·SK하이닉스와 차이가 남아 있다. 트렌드포스도 중국의 신규 생산능력이 단기간에 세계 고성능 D램 공급을 크게 늘리지는 않을 것으로 봤다.

중국의 장비 국산화는 한국뿐 아니라 일본·유럽에도 변수다. 영국 파이낸셜타임스(FT)는 28일 크리스토프 푸케(Christophe Fouquet) ASML 최고경영자(CEO)가 대중국 규제가 지나치게 강화될 경우 중국의 자체 장비 개발을 오히려 재촉할 수 있다고 경고했다고 전했다. 푸케 CEO는 “너무 멀리 가면 우리가 원하는 것과 반대 결과를 만들 수 있다(if we go too far, we are going to create the opposite results)”고 말했다.

CXMT의 이번 투자를 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM 경쟁력 약화로 연결하는 것은 아직 이르다. 지금 확인해야 할 변화는 범용 D램이다. CXMT가 생산능력을 늘리는 데 그치지 않고 제조장비와 후공정까지 중국 내부에서 확보하면 한국 메모리업체가 맞닥뜨릴 경쟁 범위가 제품에서 생산 생태계 전체로 넓어질 수 있다.

 

토요경제 / 최은별 기자 ceb@sateconomy.co.kr 

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