삼성전자가 기가를 뛰어 넘어 테라시대를 예고하며 반도체 나노기술의 역사를 또다시 쓰고 있다.

삼성전자는 최근 "CTF (Charge Trap Flash)" 라는 신개념 낸드플래시 기술을 적용한 반도체 제품을 세계 최초로 상용화 했다고 밝혔다.

CTF 기술의 핵심은 기존의 고정관념을 바꿔 전하를 기존의 도체가 아닌 부도체 물질에 저장하고 타노스(TANOS)라고 불리는 신메탈게이트 구조 기술 등을 가졌다는 점이다.

이를 통해 셀간 정보간섭을 최대한 억제할 수 있어 반도체 공정의 한계로 알려져 왔던 50나노 장벽을 허물고 40나노급 이하에서 반도체 상용화 가능성이 제시된 것이다.

이 기술은 단지 플래시 메모리만의 범주를 벗어나 미래 반도체 개발의 당면 과제인 '초미세화' '고용량화' '고성능화' 등을 동시에 해결할 수 있는 차차세대 반도체 기술로 전해졌다.

향후 20나노/256기가 수준까지 확대 적용이 가능하고 2010년 이후에는 테라(기가의 1,000배)시대 진입의 토대를 제공할 전망이다.

삼성전자는 '2001년 CTF 개발에 착수해 2002년 기본 특허를 출원했으며 2003년 셀 개발 성공 과 반도체 세계 최고권위 학회인 IEDM에 관련 논문을 세계 최초로 발표했다.

올해말 개최 예정인 2006년 IEDM에서는 관련 논문이 세션 최우수 논문으로 채택돼 발표예정에 있다.

이 기술은 세계 반도체 업체들이 주목하는 40나노급 이하 초미세 공정 구현을 위한 'CTF 기술'로서 차세대 낸드플래시 기술로 공식 인정받은 바 있다.

이번 기술 개발은 단지 연구성과 발표가 아니라 양산제품으로 상용화까지 실현했다는데 의미가 크다.

삼성전자는 5년간의 "CTF 기술" 연구활동을 통해 다수의 원천 특허를 확보하고, 업계 최초로 상용화까지 실현했다.

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