▲ 사진출처 = 연합

 

[토요경제 = 주은희 기자] 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(사진.CEO)가 삼성전자의 고대역폭 메모리(HBM)가 엔비디아 제품에 탑재될 가능성을 시사했다.

 

4일 블룸버그통신을 인용한 연합뉴스 보도에 따르면 이날 대만 타이베이 그랜드 하이라이 호텔에서 열린 기자간담회에서 황 CEO는 "삼성전자와 마이크론이 제공한 HBM 반도체를 검사하고 있다"고 밝혔다.

 

그는 이어 "삼성전자는 아직 어떤 인증 테스트에도 실패한 적이 없지만, 삼성 HBM 제품은 더 많은 엔지니어링 작업이 필요하다"고 덧붙였다.

 

특히 황 CEO는 삼성전자 HBM이 엔비디아의 품질 테스트를 통과하지 못했다는 일각의 루머에 대해 "사실무근"이라며 "(테스트가) 아직 끝나지 않았을 뿐이며, 인내심을 가져야 한다"고 설명했다.

 

또 그는 "SK하이닉스, 삼성전자, 마이크론과 협력하고 있으며 3사 모두 우리에게 메모리를 공급할 것"이라며 "엔비디아는 그들이 자격을 갖추고(qualified), 우리 제조 공정에 최대한 빠르게 적용하도록 노력하고 있다"고 전했다.

 

삼성전자는 세계 D램 시장 1위지만, HBM 시장 주도권은 10년 전부터 HBM에 적극적으로 '베팅'해온 경쟁사 SK하이닉스가 잡고 있다.

 

이런 상황에서 최근 로이터통신은 삼성전자가 엔비디아에 HBM을 납품하기 위한 테스트를 발열과 소비 전력 등의 문제로 아직 통과하지 못했다고 보도했다. 당시 삼성전자는 즉각 입장문을 내고 보도 내용이 사실이 아니라고 반박했다.

 

삼성전자는 "현재 다수의 업체와 긴밀하게 협력하며 지속적으로 기술과 성능을 테스트하고 있다"며 "HBM의 품질과 성능을 철저하게 검증하기 위해 다양한 테스트를 수행하고 있다"고 설명했다.

 

이번에 황 CEO가 직접 테스트 실패설을 부인한 만큼 테스트가 순조롭게 진행되면 삼성전자는 이르면 올해 하반기 엔비디아에 HBM3E 12단 공급을 시작할 것으로 전망된다.

 

삼성전자는 차세대 HBM 시장 선점에 총력을 기울이고 있다. 지난 4월 HBM3E 8단 제품의 초기 양산을 시작한 데 이어 2분기 이내에 12단 제품을 양산하겠다는 목표를 밝혔다.

 

업계 최초로 24Gb(기가비트) D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB(기가바이트) HBM3E 12단을 구현하기도 했다.

 

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