▲화웨이 전시장/사진=연합뉴스 자료

[토요경제 = 이덕형 기자] 중국 화웨이가 내년 상반기 출시할 AI 반도체에 자체 개발한 고대역폭메모리(HBM)를 탑재하며 ‘메모리 독립’을 선언했다. 삼성전자와 SK하이닉스가 주도해온 글로벌 HBM 시장에 중국이 본격적으로 진입하면서, 맞춤형 제품을 둘러싼 차세대 메모리 경쟁이 심화할 전망이다.

23일 업계에 따르면 화웨이는 내년 1분기 선보일 신형 AI 반도체 ‘어센드 950PR’에 자사 개발 HBM 제품 ‘HiBL 1.0’을 적용한다. 이 제품은 128GB 용량에 최대 1.6TB/s의 대역폭을 제공한다는 설명이다. 이는 삼성전자와 SK하이닉스의 5세대 HBM3E(12단, 1.2TB/s)보다 높은 수치다.

다만 업계는 HiBL 1.0이 실제 성능 면에서는 HBM3 수준일 것으로 보고 있다. 업계 관계자는 “화웨이가 지금까지 글로벌 선두업체보다 한두 세대 뒤처진 제품을 내놨던 점을 감안하면, 곧바로 HBM3E와 같은 수준에 도달하긴 어려울 것”이라면서도 “중국이 범국가적 전략으로 기술을 끌어올리는 만큼 예의주시할 필요가 있다”고 말했다.

화웨이는 맞춤형 HBM이 자사 AI칩 성능 극대화를 위해 개발됐다고 설명했다. AI 칩과 메모리를 세트로 최적화해 병목 현상을 줄이는 전략이다. 

외신들도 “중국 반도체 업계가 메모리 병목을 자체 해결할 수 있는 기술을 확보했다는 점에서 의미가 있다”고 평가했다.

화웨이는 내년 4분기 ‘어센드 950DT’에 업그레이드된 HBM ‘HiZQ 2.0’을 탑재할 계획이다. 이 제품은 대역폭을 4TB/s까지 끌어올려 고성능 작업에 대응한다는 구상이다.

국내 업체들은 위기감을 감추지 못하고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스는 HBM4부터 고객 요구에 맞춘 커스터마이징 제품을 본격 도입할 계획이지만, 화웨이가 먼저 시장에 맞춤형 제품을 제시하면서 경쟁이 가속화될 수 있기 때문이다. 

업계 관계자는 “중국이 자체 칩에 특화된 HBM을 내놓고 로드맵까지 공개했다는 점은 경계해야 한다”고 말했다.

중국은 범용 D램에서도 점유율 확대를 노리고 있다. 중국 1위 D램 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 이미 HBM3 샘플칩을 개발했으며, 내년 HBM3 양산과 2027년 HBM3E 양산을 목표로 하고 있다. 

시장조사업체 카운터포인트리서치는 “중국 메모리 업체들이 범용 제품을 넘어 맞춤형·차세대 시장으로 영향력을 넓히며 한국 기업들의 독점 구도를 위협하고 있다”고 분석했다.

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