▲ SK하이닉스가 세계 최초로 양산 체제 구축을 공식 발표한 HBM4 <사진=SK하이닉스>

[토요경제 = 최영준 기자] SK하이닉스가 초고성능 인공지능(AI) 메모리 신제품인 고대역폭 메모리(HBM)4 개발을 성공적으로 마치고 세계 최초로 양산 체제를 구축했다고 12일 밝혔다.

HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품으로 AI 칩의 핵심 부품이다.

조주환 부사장(HBM 개발 담당)은 “HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것”이라며 “고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입(Time to Market)을 실현할 것”이라고 말했다.

최근 AI 수요와 데이터 처리량이 폭발적으로 늘면서 더 빠른 시스템 속도를 구현하기 위한 HBM 수요가 급증하고 있다.

여기에 막대한 전력을 소모하는 데이터센터 운영 부담이 커지면서 메모리의 전력 효율 확보가 고객의 핵심 요구로 부상했다. SK하이닉스는 향상된 대역폭과 전력 효율을 갖춘 HBM4가 이러한 요구를 해결하는 최적의 솔루션이 될 것으로 기대했다.

양산 체제를 갖춘 HBM4는 이전 세대 HBM3E보다 2배 늘어난 2048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율은 40% 이상 높였다.

AI 서비스 성능을 최대 69%까지 끌어올려 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용도 크게 낮출 것으로 전망된다.

또한 이 제품은 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작 속도를 구현해 국제반도체표준협의기구(JEDEC)의 HBM4 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 웃돌았다.

SK하이닉스는 HBM4 개발을 위해 시장에서 안정성이 검증된 자체 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정과 10나노급 5세대(1bnm) D램 기술을 적용해 양산 과정의 리스크를 최소화했다.

MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정으로 필름형 소재를 하나씩 깔아주는 방식보다 효율적이고 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받는다.

김주선 AI 인프라 사장(CMO·최고마케팅책임자)은 “이번 HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점이자 AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이라며 “SK하이닉스는 AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급해 풀 스택 AI 메모리 프로바이더로 성장해 가겠다”고 말했다.

토요경제 / 최영준 기자 cyj@sateconomy.co.kr 

[ⓒ 토요경제. 무단전재-재배포 금지]