SK하이닉스 ′HBM 주역′ 박명재 부사장이 밝힌 ′1위 굳히기′ 비결

SK하이닉스 'HBM 주역' 박명재 부사장이 밝힌 '1위 굳히기' 비결: 산업 / 장연정 / 2024-06-27 09:55:44

▲ SK하이닉스 HBM설계 담당 박명재 부사장 [사진출처 = SK하이닉스 제공]

[토요경제 = 장연정 기자] SK하이닉스 박명재 부사장(HBM설계 담당)은 27일 "SK하이닉스의 HBM은 업계 최고의 속도, 성능을 갖췄다"면서 "특히 여기에 적용된 당사 고유의 MR-MUF 기술은 고성능으로 인한 발열을 가장 안정적으로 줄여 세계 최고 성능 구현에 기여했다"고 말했다.

박명재 부사장은 이날 SK하이닉스 뉴스룸과의 인터뷰에서 이 같이 전한 뒤 "게다가 우리 회사는 준수한 품질의 제품을 대량 생산하는 능력도 빠르게 갖췄다. 또, 고객 대응 수준은 타의 추종을 불허하는데, 이러한 종합적인 경쟁 우위가 HBM3E를 명품 반열에 올렸다고 생각한다"고 밝혔다.

SK하이닉스는 지난 3월부터 최고 성능 HBM3E를 양산하고, 다음 세대 제품인 HBM4의 양산 시점을 내년으로 앞당기면서 ‘글로벌 No.1 AI 메모리 프로바이더(Global No.1 AI Memory Provider)’의 입지를 굳건히 다지고 있다. 그 배경에는 최고의 기술진이 15년 이상 HBM 연구·개발에 집중하며, 갈고 닦은 고유의 기술력이 자리 잡고 있다는 평가가 지배적이다.

업계에 따르면 2020년대 초반, 시장에서는 메모리 업체 간 HBM3 주도권 경쟁이 치열해질 것으로 예상했지만, 결과는 예상 밖으로 흘러갔다. 공격적인 기술 개발 및 투자를 지속해 온 SK하이닉스가 1위 굳히기에 성공한 것이다.

박명재 부사장은 이와 관련 "당시 SK하이닉스는 기술력은 물론, 고객 관계 및 품질 측면에서도 계속해서 혁신을 시도했다"면서 "마침내 압도적인 성능과 특성을 앞세운 HBM3로 높은 시장 점유율을 확보했고, HBM 1위의 지위를 확실히 인정받게 됐다"고 평가했다.

박 부사장은 또 "AI 기업 간 경쟁에 불이 붙으면서 우리는 HBM을 개발하는 데도 속도를 낼 수밖에 없는 상황이었다. 이에 SK하이닉스는 설계 검증의 혁신을 거듭하면서 제품 설계 완성도를 높이고, 개발 및 양산 초기부터 고객사와 협력하는 등 많은 노력을 기울였다"면서 "그 결과 올해 3월, HBM3E 양산에 이어 고객에게 가장 먼저 제품을 공급할 수 있었다"고 말했다.

그는 특히 이 같은 성공신화의 비결에 대해 "구성원 모두가 자만에 빠지지 않고 원 팀(One Team)이 돼 기술 혁신에 매진해 온 것도 큰 역할을 했다"고 강조했다.

그는 "우리 회사는 HBM 2세대를 제외하곤 줄곧 1등으로서 후발 주자를 따돌리기 위해 노력해 왔다. 특히 세대마다 성능은 50% 높이면서 전력 소모는 기존 수준을 유지하고자 노력했다"면서 "불가능에 가까워 보였지만 패키지, 미래기술연구원 등 많은 조직이 힘을 보태면서 해낼 수 있었다"고 했다. 이어 "또 개발과 양산에 문제가 생기면 이 분야 전문성을 가진 조직들이 솔루션을 도출해 주었다. 이런 협업 시스템이 있었기에 세계 최고 성능의 HBM3E가 나올 수 있었다"고 힘주어 말했다.

박 부사장은 얼마 전 HBM 개발과 관련돼 항간에 돌았던 루머에 대해 "사실무근"이라며 앞으로도 경쟁 우위를 확고히 지켜가겠다는 의지를 다졌다.

그는 "SK하이닉스의 HBM은 지난 15년간 구성원들이 피땀 흘려 쌓은 기술력의 결실이다. 얼마 전 경쟁사의 HBM팀이 당사로 넘어와 기술을 개발했다는, 사실무근의 루머가 있었다"고 전제한 뒤 "온전히 우리 힘으로 기술 개발을 해낸 당사 구성원들로서는 자존심에 상처를 받을 수밖에 없었다"고 말했다.

그러면서 "SK하이닉스 HBM은 명확하게 당사 자체 기술이며, 당시 경쟁사에서 우리 HBM 설계 조직에 들어온 인력은 1명도 없다"라며 "우리 기술력이 그만큼 대단하기에 헛된 루머가 돌 정도로 유명세를 치렀다고 생각하며, 앞으로도 우위를 지키기 위해 더욱 노력하겠다고 마음을 다진다"고 덧붙였다.

용어설명

* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직관통전극(TSV, Through Silicon Via)으로 연결해 고대역폭을 구현한 메모리로, 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발됨. HBM3E는 HBM3의 확장(Extended) 버전

* MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill): 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고, 굳히는 공정. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가. 특히, SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 칩의 휨 현상 제어(Warpage Control)도 향상해 HBM 공급 생태계 내에서 안정적인 양산성을 확보하는 데 핵심이 되고 있음

#SK하이닉스

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