하이닉스반도체는 66나노 기술을 적용한 세계 최고속 1기가비트 모바일 LPDDR2(Low Power DDR2)를 개발했다고 6일 밝혔다.

이 제품은 지난해 세계 최고속.최소형 1기가비트 모바일 DDR 제품 개발 이후 8개월 만에 개발에 성공한 것으로 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 규격을 만족해 칩셋 업체와 공동으로 모바일 LPDDR2의 국제 표준화를 선도할 것으로 보인다.

특히 세계 최초로 1.2V의 전압에서 업계 최고속인 800Mbps의 데이터 전송 속도를 구현할 수 있어 모바일 기기에 최적화됐다.

또한 66나노 초미세 공정이 적용돼 9㎜x12㎜의 작은 크기를 갖췄으며, 하나의 칩에서 다양한 데이터 처리 속도 및 방식 지원이 가능한 '원 칩 솔루션' 기능으로 탑재되는 기기의 사양에 맞춰 변경해 사용할 수 있다.

하이닉스는 이번 제품이 1기가비트 이상 고용량 모바일 메모리 시장을 선도할 수 있을 것으로 기대하고 있으며 올해 4분기부터 양산할 예정이다.

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