▲미국 인디애나주 웨스트라피엣에 있는 SK하이닉스 임시사무소. 2026.8.27 [연합뉴스]

SK하이닉스가 미국에서 처음으로 고대역폭메모리(HBM)를 생산하는 거점을 짓는다. 인공지능(AI) 반도체 공급망의 핵심인 HBM을 미국 현지에서 직접 생산해 엔비디아를 비롯한 글로벌 빅테크 수요에 대응한다는 전략이다.

SK하이닉스는 27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트라피엣에서 차세대 HBM 어드밴스드 패키징 공장 기공식을 열었다.

이번 공장은 SK하이닉스가 미국에 건설하는 첫 생산기지다. 2028년 10월 클린룸을 완공하고 2029년 하반기부터 HBM 양산에 들어가는 것이 목표다.

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 인디애나 공장의 HBM 생산능력이 연간 수십만장 규모가 될 것이라고 밝혔다. 한국에서 생산한 D램 웨이퍼를 기반으로 미국 현지에서 후공정을 거쳐 HBM으로 완성하는 방식이다.

곽 사장은 “인디애나 프로젝트는 미국 최초의 HBM 생산 거점을 구축하는 것”이라며 “미국 반도체 공급망과 경제·안보를 강화하는 핵심 기반이 될 것”이라고 말했다.

총 투자금액은 약 40억달러다. 미국 정부는 반도체법에 따라 최대 4억5천만달러의 보조금과 5억달러 규모의 대출을 지원한다.

인디애나 공장은 단순 생산기지를 넘어 차세대 HBM 연구개발 거점 역할도 맡는다. D램 칩을 여러 장 쌓아 HBM으로 만드는 어드밴스드 패키징과 함께 차세대 제품 개발·테스트를 병행할 예정이다.

SK하이닉스의 현재 최신 제품은 D램 12단을 적층한 6세대 HBM4다. 엔비디아의 차세대 AI 가속기 ‘베라 루빈’에도 공급되는 제품으로, 회사는 후속 제품인 7세대 HBM4E 개발도 진행 중이다.

이에 따라 2029년 본격 가동될 인디애나 공장에서는 HBM4보다 한 단계 진화한 차세대 제품이 생산될 가능성이 크다.

SK하이닉스는 현지 연구개발 역량을 강화하기 위해 퍼듀대학교와도 손을 잡았다. 차세대 HBM 개발과 테스트를 위한 업무협약을 체결하고 반도체 인재 확보와 공동 연구를 추진한다.

공장 역시 퍼듀대가 위치한 웨스트라피엣에 들어선다. 본격 가동 이후 약 1천명의 직접 고용이 예상되며, 건설·운영 인력과 100여개 소재·부품·장비 협력사를 포함하면 약 7천개의 직·간접 일자리 창출 효과가 있을 것으로 회사는 내다봤다.

이번 투자로 SK하이닉스는 한국에서 D램을 생산하고 미국에서 첨단 패키징을 수행하는 공급망을 구축하게 된다. AI 반도체 현지 생산을 확대하려는 미국 정책 기조와 맞물려 ‘메이드 인 USA’ HBM 공급도 본격화될 전망이다.

토요경제 / 위아람 기자 moon@sateconomy.co.kr 

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