하이닉스반도체는 오류 검출.정정 기능을 하는 ECC 회로가 적용된 최고속 모바일 D램을 개발했다.

이 제품은 동작시 오류 검출 및 정정 기능을 자체적으로 구현하면서도 업계 최고 수준인 최대 185MHz로 동작하며, 소비 전력을 절반 수준으로 줄인 것이 가장 큰 특징이라고 하이닉스는 설명했다. 또 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 최대 1.46GByte의 데이터를 처리할 수 있다.

이번에 개발된 185MHz 512Mb 모바일 D램은 80나노 공정 기술을 이용해 휴대용 전자기기에 적합하도록 초소형으로 제작됐으며, 전력 소모를 줄이는 TCSR(온도에 따라 충전 속도 조절), PASR(대기시 데이터가 있는 부분만 충전), DPD(사용 중단시 D램 작동 차단) 등 전통적인 모바일 D램의 기능도 포함돼 있다.

하이닉스반도체 모바일 사업담당 김용탁 상무는 “이번에 개발된 제품은 낸드플래시의 ECC 개념을 모바일 D램에 도입해 소비 전력을 크게 줄였기 때문에 고용량 D램의 높은 소비 전력을 우려하는 휴대용 정보기기 개발 업체의 고민을 덜어 줄 수 있을 것”이라고 설명했다.

하이닉스반도체는 이 제품의 양산을 올 하반기에 시작, 낸드플래시와 D램을 하나의 칩으로 만든 ‘낸드 멀티칩 패키지(MCP)’와 패키지 위에 패키지를 얹는 ‘패키지 온 패키지(PoP)’ 에도 사용해 제품군을 더욱 다양화할 예정이다.

[ⓒ 토요경제. 무단전재-재배포 금지]