[토요경제=여용준 기자] 삼성전자 반도체 부문이 역대 최고 실적을 기록한 가운데 시설 투자 규모도 더욱 커지고 있다.

17일 글로벌 시장조사업체 IC인사이츠에 따르면 올해 글로벌 반도체 업체의 시설투자 규모는 908억달러(한화 약 100조원)이며 이 가운데 삼성전자는 260억달러(28조5000억원)로 전체의 25% 이상을 차지했다.

삼성전자의 투자 규모는 인텔과 대만의 TSMC를 합친 것보다 많은 금액이다. 또 지난해 120억달러를 투자한 것에 비해 2배 이상 늘어난 수준이다.

삼성전자의 올해 반도체 시설투자를 부문별로 보면 3D 낸드플래시 부문이 140억달러로 전체의 절반 이상이며 D램과 파운드리 부문이 각각 70억달러와 50억달러로 추산됐다.

삼성전자의 이같은 시설투자 규모는 앞으로 더욱 확대될 것으로 보인다. 삼성전자는 올 3분기 14조5000억원의 영업이익을 올렸으며 반도체 부문에서만 9조9100억원의 영업이익을 기록했다.

특히 삼성전자는 2016년 2분기 이후 반도체 부문의 가파른 실적 상승세가 이어지고 있어 점유율을 지키기 위해 투자를 확대할 가능성이 크다.

삼성전자는 현재 평택 단지를 중심으로 V낸드 공급 확대와 5세대 V낸드의 적기 개발과 양산에 주력하고 D램에서는 10나노급 선단 공정 전환 확대와 고용량 차별화 제품을 통해 메모리 사업 경쟁력과 시장 리더십을 더욱 강화할 계획이라고 전했다.

또 시스템LSI는 이미지센서와 OLED 디스플레이 구동칩(DDI) 출하 증가로 실적 개선이 지속될 전망이며 파운드리는 첨단 EUV 인프라를 구축해 파운드리 사업이 차세대 성장 동력으로 자리 잡을 수 있도록 할 계획이다.

IC인사이츠는 삼성전자의 이같은 대규모 설비투자에 대해 “장기적으로 업계에 부정적인 영향을 미칠 것”이라며 “특히 3D 낸드 플래시 시장에서 SK하이닉스와 마이크론, 도시바, 인텔 등도 설비투자 경쟁에 진입하면서 과잉설비 우려가 커질 것”이라고 지적했다.

다만 메모리 업계에서 입지 강화를 노리는 중국 업체들의 기를 꺾어 놓으면서 현재 삼성전자와 SK하이닉스 등이 주도하는 시장구도를 유지하게 하는 효과가 있을 것으로 내다봤다.

앞서 권오현 삼성전자 회장은 지난 3월 정기 주주총회에서 “중국에서 반도체 관련해서 많은 투자와 회사를 설립하는 것으로 알고 있다”며 “반도체가 단기간에 실적을 내는 분야는 아니지만 (중국의) 투자규모가 200조원이 넘는다”고 말했다.

이어 “장기적으로 굉장히 위협적이며 기술개발을 가속화하고 기술유출이나 인재유출하지 않도록 주의하고 있다”며 “(중국의 반도체 추격은) 상당히 장기적으로는 위협적인 요소라고 보고 있다”고 덧붙였다.

IC인사이츠는 중국의 이같은 추격에 대해 “기존의 메모리업체들과의 조인트벤처와 같은 방식으로 획기적인 시도를 하지 않는 한, 당장 현재의 글로벌 리더업체와 경쟁체제를 구축하기는 하기는 어려워 보인다”고 분석했다.

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