하이닉스반도체(대표 김종갑 www.hynix.co.kr)의 미국 오레건주 유진시에 위치한 생산법인이 오는 9월 가동을 중단한다.
이번 조치는 300mm 팹 대비 효율성이 떨어지는 200mm 팹의 활용 및 처분 방안을 다각도로 검토한 바, 우선 미국 오레건주 유진(Eugene)시에 위치한 미국 생산법인을 가동 중단하기로 했다. 이에 따라 즉시 웨이퍼 투입이 중단되며 9월 말까지 모든 공정을 중단하게 된다.
하이닉스는 이번 조치가 D램 등 메모리 산업에서 더 이상 200mm 웨이퍼 생산설비는 경쟁력을 유지할 수 없다는 판단에 따른 것이라고 밝히며, 200mm 웨이퍼 생산 비중을 크게 줄이고 300mm 투자로의 이행을 가속화할 것이라고 밝혔다.
하이닉스는 200mm 웨이퍼 생산 비중을 지난해 말 약 50% 수준에서 올해 말 약 35% 수준까지 감축한다는 계획을 수립해 놓고 있으며, 이번 유진 공장 가동 중단은 지난해 중국 우시 공장의 200mm 생산시설인 C1 팹 정리·매각에 이은 단계적 정리과정으로 볼 수 있다.
하이닉스는 앞으로 유진 공장의 가동 중단 이후 기존 시설을 최대한 활용할 수 있는 사업 모델을 검토하거나, 장비, 건물, 토지를 포함한 공장 전체를 아예 다른 반도체 업체에 매각하거나, 건물과 토지, 장비를 각각 분리해 매각하는 등의 다각적인 방안 검토할 예정이다.
하이닉스는 유진 공장 외에도 경쟁력이 한계에 이른 200mm 팹의 활용을 위해 여러 방안을 검토하고 있으며, 이러한 방안의 일환으로 지난해 9월 중국 우시 C1 팹의 장비를 CRH(China Resource Holdings Co., Ltd.)에 매각한 바 있다.
나머지 200mm 팹인 이천의 M7, 청주의 M8, M9 팹 중 일부는 컨슈머 D램 및 비메모리 제품 생산, 파운드리 서비스 등에 활용하고, 나머지는 장비의 매각을 진행 중이다.

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