SK하이닉스, 美 HBM 심포지엄 개최

박진호

ck17@sateconomy.co.kr | 2014-06-19 14:11:46

[토요경제=박진호 기자] SK하이닉스가 해외시장에서 적극적인 행보를 이어가며 이미지 제고와 적극적인 시장 공략에 나서고 있다. 최근 소프텍 벨라루스(Softeq Development FLLC)의 펌웨어 사업부를 인수하며, 글로벌 R&D 네트워크를 확장하고, 세계 시장에서의 영향력을 키워가고 있는 SK하이닉스가 더욱 해외 역량 강화에 주력하고 있는 것이다.


지난 17일, 중국 선전(深圳)에서 주요 모바일 업체를 초청해 ‘2014 SK하이닉스 모바일 솔루션 데이’를 열고 모바일 D램과 낸드플래시 등을 소개한 SK하이닉스는 미국에서도 이러한 적극적인 행보를 이어갔다.


미국 산호세에 위치하고 있는 SK하이닉스의 미국 법인은 현지시간으로 지난 18일, ‘2014 SK하이닉스 HBM(High Bandwidth Memory, 초고속 메모리) 심포지엄’을 개최했다. 이 행사에는 관련 산업을 주도하는 20여 개 주요고객 및 파트너 업체에서 100여 명이 참여해 SK하이닉스의 HBM 기술에 대한 큰 관심을 드러냈다.


SK하이닉스는 지난해 말 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술을 적용한 HBM을 업계 최초로 개발하고, 올해 상반기 고객들에게 샘플을 전달한 바 있다. 뒤이어 이번 심포지엄을 개최해 중장기 HBM 로드맵을 소개함으로써, 다양한 응용 분야의 고객들과 HBM 생태계 확대를 위한 협력을 강화할 수 있을 것으로 기대하고 있다.


특히, SK하이닉스의 HBM 개발에 협력 중인 회사들도 직접 발표자로 참여해 이번 심포지엄에 의미를 더했다. HBM은 기능성 패키지 기판인 인터포저(Interposer) 위에, SoC(System on Chip)와 함께 탑재해 한 시스템을 이루는 SiP(System in Package) 형태로 공급된다. 이 때문에 칩셋, 파운드리, 패키징 및 완제품 업체 등 고객 및 파트너와의 협업이 중요하다.


SK하이닉스가 현재 소개한 HBM은 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단 적층한 형태다. 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현할 수 있어 1,024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다. 고사양 그래픽 시장 채용을 시작으로 향후 네트워크, 슈퍼컴퓨터, 서버 등으로 응용 범위가 확장될 전망이다.


SK하이닉스 미국 법인 기술마케팅 담당 강선국 수석은 “다양한 응용 분야의 고객 및 파트너들과 HBM에 대한 상호 이해를 높일 수 있는 좋은 기회였다”며 “협력 관계를 더욱 강화해 차세대 고성능, 저전력, 고용량 제품인 HBM 시장을 선도해나가겠다”고 밝혔다.


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