▲삼성전자 고덕캠퍼스 [연합뉴스]

 

삼성전자 평택캠퍼스의 용적률을 기존 350%에서 490%로 높이는 방안이 추진된다. 용적률 상향이 확정되면 현재 건설 중인 반도체 팹(P5)의 층수를 늘려 생산능력을 확대할 수 있을 전망이다.

19일 연합뉴스에 따르면 경기도는 최근 평택시가 제출한 삼성전자 산업단지계획 변경안을 검토하고 있다.

산업단지계획 변경은 경기도지사의 검토를 거쳐 국토교통부 산업입지정책심의를 통과해야 최종 승인된다.

변경안에는 삼성전자 평택캠퍼스 내 산업용지인 A1-1 부지의 용적률을 기존 350%에서 490%로 상향하는 내용이 담겼다.

이번 조치는 정부가 2023년 7월 삼성전자 평택 반도체 사업장을 '국가첨단전략산업 특화단지'로 지정한 데 따른 후속 조치다. 특화단지에는 용적률을 기존보다 최대 1.4배까지 높일 수 있는 특례가 적용된다.

현재 A1-1 부지에는 2030년 완공을 목표로 P5-1과 P5-2 등 2기의 팹이 건설되고 있다.

삼성전자는 용적률이 상향되면 이들 팹을 기존 2층 구조가 아닌 3층으로 건설할 계획이다. 2층짜리 팹에 반도체 생산을 위한 클린룸이 4개 들어가는 점을 고려하면 3층 구조에서는 6개의 클린룸 설치가 가능해 생산능력도 약 1.5배 확대될 것으로 추산된다.

평택시 관계자는 "용적률 상향은 정부가 국가첨단전략 기술을 보유한 기업의 경쟁력 제고를 위해 부여하는 특례"라며 "이변이 없다면 오는 10월 국토부 심의를 거쳐 11월께 산단계획 변경 절차가 마무리될 것으로 예상한다"고 말했다.

삼성전자 평택캠퍼스는 경기도 평택시 고덕동 일원 약 390만㎡에 조성된 삼성전자의 단일 산업단지다. 현재 3기의 반도체 팹이 가동되고 있다.

 

토요경제 / 위아람 기자 moon@sateconomy.co.kr 

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